שיחה:מוליך למחצה
הוספת נושאשכתבתי את המאמר, הרשתי לעצמי להוריד את התבנית העוסקת בשכתוב. עכשיו אני צריך דעה של אנשים חסרי רקע בתחום כדי לתקן, לשפר ולהוסיף. DaFLM 4 יולי 2005 23:27 (UTC)
אני כרגע עובד על צומת PN שאמור להשתלב בערך. מישהו חושב שצריך להוסיף עוד דברים? DaFLM 16:52, 10 יולי 2005 (UTC)
מה עם הסבר בעניין רקומבינציה? כשמחפשים את הערך בויקי זה מפנה לרקומבינציה (שחלוף) בהקשר של DNA ולא בהקשר של אלקטרונים וחורים. אולי שווה להרחיב על זה טיפה.
שאלה[עריכת קוד מקור]
התכונה היחידה המבדילה יסוד שאינו מוליך למחצה מיסוד שהינו מוליך למחצה היא כמות האלקטרונים החופשיים? הערך לא עומד על ההבדל שבין מוליכים למחצה ומבודדים. לי, אדם ללא כל ידע קודם בנושא, לא ברור מהכתוב.
ועוד שאלה - הדרך היחידה בה ניתן לנצל את תכונתם (שאינה ברורה לי לגמרי) של מוליכים למחצה היא ע"י doping? (עומר)
- כמות האלקטרונים החופשיים קובעת את יכולת הולכת החשמל של חומר מסוים. ככל שיש לך יותר אלקטרונים שיכולים לנוע ממקום למקום כך תצטרך להתאמץ פחות כדי לגרום לזרם לזרום. חומרים מוליכים למיניהם הם בעלי כמויות גדולות מאד של אלקטרונים חופשיים ואילו מבודדים הם בעלי מספר מאד מאד קטן (יחסית). מוליכים למחצה נמצאים אי שם באמצע.
- התכונה החשובה ביותר של מוליכים למחצה היא לא יכולתם להוליך או לבודד בצורה מעולה אלא לשנות את התנהגותם בצורה מאד חזקה בתלות בפרמטרים שונים. בסופו של דבר הם יוליכו פחות טוב ממוליך טוב ויבודדו פחות טוב ממבודד טוב אבל זה פחות מעניין.
- אם תחמם מתכת, יכולות ההולכה שלה תתשפר (יותר אנרגיה לאלקטרונים משמע יותר אלקטרונים שישתחררו מקשרים כימיים) אבל לא באופן משמעותי ביחס למקור. אם תחמם מוליך למחצה, יכולות ההולכה שלו ישתנו באופן ניכר מאד. כנ"ל עם הארה.
- השתלת חומר זר (סימום) מאפשרת לשחק עם התכונות החשמליות של החומר וליצור אפקטים מעניינים ומועילים כגון צומת הPN, כי כאמור התועלת לא נובעת מיכולות ההולכה או הבידוד כי אם מיצירת "התנהגות חשמלית" ייחודית.
- אנא פרט מה בדיוק לא מובן בערך - מפסקה מסוימת, הסדר שלו או כולו - ואני אשתדל לשפרו... DaFLM 22:47, 10 בדצמבר 2006 (IST)
- אני מצטט מערך: "...כך שלמעשה בכל המערכת אין אלקטרונים חופשיים להולכה" (פיסקה: "חומרים"). מה שאמרת הפוך לגמרי מהכתוב, עכשיו אני עוד יותר מבולבל :-)
- אני לא יודע מהי רמת הידע שלך בנושא, אבל אם היא עמוקה דיו, אני ממליץ להוסיף לערך הסבר (אם קיים. כלומר, לא רק מתצפיות) למדוע/איך חומרים מסויימים (להם אנחנו קוראים "מוליכים למחצה") משנים את תכונות ההולכה (ככה קוראים לזה?) שלהם בטמפ' שונות ובכלל, במצבים כאלו ואחרים (ואם אפשר, דוגמא לשימוש במוליך למחצה שלא עבר doping). אני חושב שזה יבהיר את הנושא הרבה יותר. (עומר)
שאלה: האם ניתן להוסיף תחת הערך צומת PN גם את המושג זרם זליגה? ודרך אגב- כל הכבוד- הנושא מוסבר בפשטות ותמציתיות בצורה מעולה.
פונקציות עבודה[עריכת קוד מקור]
כאשר דנים במל"מ דנים בפונקציית העבודה.
לכן כאשר מצמידים שני חומרים יש הפרש פוטנציאלים אשר גורם לכיפוף ברמות הוולנטיות. זו תופעה טרמודינאמית שקיימת בכלל בין מתכות. הפרש הפוטנציאלים גורם לשדה חשמלי שמחושב לפי חוק גאוס.
בגלל הפרש הריכוזים בצומת נוצר תהליך הדיפוזייה והטעינה כמתואר בערך.
בגלל הטעינה נוצר שדה סחיפה חזק בצומת שמרוקן אותה מנושאי מטען ומייצר איזור מחסור.
כאשר ממתחים דיודה קדימה. מקטינים את ההפרש בין הרמות ומאפשרים זרם בהזרקה.
הממתח הקדמי מצמצם את איזור המחסור ולכן מגדיל את קיבול הצומת.
בממתח אחורי איזור המחסור גדל יותר ביחס למצב שווי משקל. לכן כיפוף הרמות גדל ביחס למצב שווי המשקל.
נושא מטען צ"ל דרך ארוכה יותר באיזור המחסור ולכן גם סטטיסטיקת הרקומבינצייה גדלה קרי לא יתרום לזרם.
בברכה
Avibrillant - שיחה 00:08, 26 באוקטובר 2009 (IST)
זרמים[עריכת קוד מקור]
כאשר דנים בהתקנים אנו דנים בשני סוגי זרמים לפי אופי ההתקן.
כאשר דנים בהתקן FET Field Effect Transistor אנו דנים בזרם סחיפה בעקבות השדה שנוצר בתעלה. שדה זה נוצר בין הדק ה Drain ל Source . כאשר אנו דנים בהתקני צומת הזרם הנו זרם דיפוזייה (הזרקה). כאשר הצומת בממתח קדמי יש ראשית להשקיע אנרגיה (פוטנציאל) לישור הרמות בסיליקון ערך זה הוא ~0.7V . או אז נכנס ההתקן להולכה . איזור המחסור קטן ומתחילה הזרקה של נושאי מטען. בהתקן FET קיים מצב של זרם צומת כאשר הנו בראשית הולכה SUB THRESHOLD .צומת זו נוצרת בין הדק ה DRAIN לתעלה.
למתענינים הנני ממליץ על הספר הבסיסי של פרופ אדיר בר-לב. למתקדמים הספר של SZE .
בברכה
Avibrillant - שיחה 13:06, 26 באוקטובר 2009 (IST)
טעות ב-ייצור חומרים מוליכים למחצה[עריכת קוד מקור]
מדובר בננומטר לא סנטימטר.
זאת לא טעות, מדובר בקוטר גליל הסיליקון ולא בגודל המייצג את הטכנולוגיה. חפש תמונות של Silicon Wafer באינטרנט.
DaFLM - שיחה 16:56, 27 בינואר 2011 (IST)
משוב מ-13 באוגוסט 2013[עריכת קוד מקור]
מעולה ומוסבר ממש טוב. תודה! עזרתם לי 132.70.34.181 09:59, 13 באוגוסט 2013 (IDT)
משוב מ-15 בדצמבר 2016[עריכת קוד מקור]
רמת הכתיבה: בחלק של צומת PN, בעיקר בפסקה השניה התוכן כתוב בצורה לא מקצועית ולא קשורה. יש לשכתב את הפסקה בשל שימוש בשפה נמוכה מידי. 192.114.1.155 19:08, 15 בדצמבר 2016 (IST)