איברהים עבד אלחלים

מתוך ויקיפדיה, האנציקלופדיה החופשית
איברהים עבד אלחלים
לידה 22 בנובמבר 1957 (בן 66)
כפר מנדא, ישראל עריכת הנתון בוויקינתונים
ענף מדעי הנדסת אלקטרואופטיקה ופוטוניקה
מקום מגורים נווה שלום (ואחת אל סלאם)
מקום לימודים הטכניון, חיפה
מנחה לדוקטורט ראול וויל ורוברט בסרמן
מוסדות אוניברסיטת בן-גוריון בנגב, האוניברסיטה הטכנולוגית ננינג, סינגפור
פרסים והוקרה עמית SPIE, המוסד הבריטי לפיזיקה, OPTICA. חבר סנאט אב"ג
בת זוג פאתן
צאצאים הישאם, אדהם
לעריכה בוויקינתונים שמשמש מקור לחלק מהמידע בתבנית

איברהים עבד אלחליםערבית: إبراهيم عبد الحليم; נולד ב-22 בנובמבר 1957 בכפר מנדא) הוא פרופסור מן המניין ביחידה להנדסת אלקטרואופטיקה ופוטוניקה באוניברסיטת בן-גוריון בנגב, והיה ראש היחידה בשנים 2007–2015. עבד אל חלים הוא ראש קבוצת מחקר המתרכזת בגבישים נוזליים, הדמיה אופטית קוהרנטית, הדמיה ספקטרו-פולארימטרית, חיישנים מבוססי ננו-פלסמוניקה, ועוד. במהלך עבודתו באוניברסיטה, הנחה עבד אלחלים עשרות תלמיד מחקר ותלמידי מוסמך ואירח משתלמים רבים מרחבי העולם.

ביוגרפיה[עריכת קוד מקור | עריכה]

פרופסור איברהים עבד אלחלים נולד ב-22 בנובמבר 1957 בכפר מנדא להוריו סאלח ומרים. עבד אלחלים השלים לימודי תיכון בנצרת,[1] ולמד לימודי תואר ראשון בפיזיקה בטכניון בשנים 1977-1981. בשנים 1981–1988 השלים בטכניון תעודת הוראה, תואר שני בפיזיקה ותואר שלישי בפיזיקה.[2] בשנים 1988–1993 השתלם עבד אלחלים באוניברסיטאות בארצות הברית ובבריטניה. בשנים 1993–2005 היה עבד אלחלים חוקר בכיר בכמה חברות תעשייה אלקטרו-אופטית מובילות בישראל. החל מ-2005 הוא פרופסור באב"ג.[2]

איברהים עבד אלחלים מתגורר בנווה שלום (ואחאת אל סלאם) מאז 2001. הוא נשוי לפאתן ואב להישאם ואדהם.[1]

לימודים מתקדמים ופוסט-דוקטורט[עריכת קוד מקור | עריכה]

בשנים 1982–1985 למד עבד אלחלים לימודי מוסמך במחלקה לפיזיקה של הטכניון, וחקר את התכונות האופטיות של גבישים נוזליים כירליים בהנחית ראול וויל ולוסיאן בן-גיגי.[3] 

בשנים 1985 - 1988 היה עבד אלחלים תלמיד מחקר בטכניון וחקר אי-יציבויות מבניות של חומרים אמורפיים תחת קרינת לייזר רציפה, בהנחית ראול וויל ורוברט בסרמן.[4]

לאחר סיום הדוקטורט, השתלם עבד אלחלים בשנים 1988–1991 באוניברסיטת קולורדו בדנבר, ארצות הברית, וחקר גבישים נוזליים אלקטרוקליניים.[5]

בשנים 1991–1993 השתלם עבד אלחלים באוניברסיטת סאותהמפטון, בריטניה, וחקר אפנון אור אקוסטו-אופטי בסיבים אופטיים או בהתאמה אליהם.[6]

בשנים 2000–2001 נטל עבד אלחלים הפוגה מעבודתו בתעשייה, ועבד כמרצה וחוקר במרכז לשכבות דקות של אוניברסיטת מערב סקוטלנד, פייזלי, בריטניה, בתחומי המיקרוסקופיה, אינטרפרומטריה והאפנון על ידי גבישים פוטוניים.[7]

תעשייה ויזמות[עריכת קוד מקור | עריכה]

בשנים 1993–2005 פעל עבד אלחלים כחוקר בכיר בכמה חברות תעשייה אלקטרו-אופטית מובילות בישראל. בשנים 1993–2000 היה עבד אלחלים פיזיקאי בכיר בקבוצה האופטית של קיי.אל.אי.-טנקור, חברה בתחום בקרת הייצור בתעשיית המיקרואלקטרוניקה. בשנים 2001–2004 ניהל עבד אלחלים את קבוצת הגבישים הנוזליים בחברת ג'י,דבליו.אס - פוטוניקה.[8] בשנת 2005 היה המדען הראשי של חברת נובה מכשירי מדידה, הפועלת אף היא בתחום בקרת הייצור בתעשיית המיקרואלקטרוניקה.[2]

בשנת 2014 הקים איברהים עבד אלחלים יחד עם בנו הישאם עבד אלחלים את חברת ההזנק פוטוניקסיס המתמחה בהתקנים אופטיים וחיישנים מבוססי פלסמוניקה.[2][9]

בשנת 2019 יסד עבד אלחלים את חברת ההזנק פוטוליקסיס המתמחה בהתקנים של גבישים נוזליים בתחום הספקטרלי והפולרימטרי וביישומיהם.[2]

אקדמיה[עריכת קוד מקור | עריכה]

לאור ניסיונו האקדמי והתעשייתי העשיר החל עבד אלחלים את דרכו האקדמית ב-2005 כפרופסור חבר ביחידה להנדסת אלקטרואופטיקה ופוטוניקה של אוניברסיטת בן-גוריון בנגב, והקים בה קבוצת מחקר שהתפתחה במהירות. בנוסף לניהול קבוצת המחקר כיהן עבד אלחלים בשנים 2007–2015 כראש היחידה. מחקרי קבוצת המחקר התרכזו בגבישים נוזליים, הדמיה אופטית קוהרנטית, הדמיה ספקטרו-פולארימטרית לגילוי סרטן עור, פיתוח חיישנים מבוססי ננו-פלסמוניקה, ועוד. עבד אלחלים וקבוצתו זכו במהלך השנים ב-28 מענקי מחקר מגופים וקרנות בישראל, מקרנות דו-לאומיות עם מגוון מדינות, ומהאיחוד האירופי.[2]

במקביל לעבודתו באוניברסיטת בן-גוריון, החל מ-2011 עבד אלחלים הוא מדען בכיר אורח באוניברסיטה הטכנולוגית ננינג אשר בסינגפור.[2]

תלמידים ומשתלמים[עריכת קוד מקור | עריכה]

פרופסור איברהים עבד אלחלים הנחה 27 תלמידי תואר שני, ו-15 תלמידי תואר שלישי, כמו-כן אירח עבד אלחלים בקבוצתו 17 משתלמים מרחבי העולם. רשימת תלמידי המחקר שהנחה כוללת את אופיר אהרון, אלינה קרבצ'בסקי, עטף שעלבני, אבנר ספרני, מיכאל ניי, מירי גילבאואר, אסי סולודר, יגאל בלין, מרוואן אבולייל, סיוון אייזיקס, מוחמד אבו טועמה, איברהים וותד, אמיר אייזן, אנדריי נזרוב ואאבה בג'ג'. חלק מתלמידיו מכהנים כמרצים או פרופסורים במוסדות אקדמיים בארץ ובחו"ל.[2]

פרסומים ופטנטים[עריכת קוד מקור | עריכה]

איברהים עבד אלחלים הוא מחבר שותף של שני ספרים, מחבר פרק ב-8 ספרים, פרסם עם שותפיו 199 מאמרים שהתפרסמו בכתבי-עת לאחר בקורת עמיתים, הציג 43 עבודות בכנסים, הרצה 70 הרצאות מוזמנות בכנסים, ותרם 85 פוסטרים או מאמרים לספרי כנסים.[2]

בנוסף, עבד אלחלים הוא הממציא או אחד הממציאים על 20 בקשות פטנטים שהוגשו ברחבי העולם וחלקם נרשמו כפטנטים, ועל יותר מ-17 בקשות פרוביזוריות.[2] 

תפקידים חברויות וכיבודים[עריכת קוד מקור | עריכה]

בין השאר, ב-2010 מונה עבד אלחלים לעמית החברה הבינלאומית להנדסה אופטית, ב-2004 מונה לעמית במוסד הבריטי לפיזיקה, וב-2015 מונה לחבר בכיר באופטיקה, לשעבר החברה האופטית של אמריקה(OSA). בשנת 2016 מונה איברהים עבד אלחלים לפרופסור מן המניין ולחבר בסנאט אוניברסיטת בן-גוריון.[1]

הערות שוליים[עריכת קוד מקור | עריכה]

  1. ^ 1 2 3 הישאם עבד אלחלים, פרופסור איברהים עבד אלחלים, ‏21.11.2022
  2. ^ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 איברהים עבד אל חלים, קורות חיים מקצועיים ורשימת פרסומים, ‏1.1.2021
  3. ^ I. Abdulhalim, L. Benguigui, R. Weil, Light Transmission Measurements in the Liquid Crystal SMC Phase of DOBAMBC at Normal Incidence, J. De Phys. 46, 1985, עמ' 1429
  4. ^ I. Abdulhalim, R. Beserman, Yu. L. Khait, R. Weil, Laser Induced Structural Instabilities in Amorphous Materials, Appl. Phys. Lett. 51, 1987, עמ' 1898
  5. ^ I. Abdulhalim etal, Optically Addressed Electroclinic Liquid Crystal Spatial Light Modulator With an a-Si:H Photodiode, J. Non. Cryst. Solids 115, 1989, עמ' 96
  6. ^ I. Abdulhalim etal, High Power, Short Pulse Acousto-Optically Q-Switched Fibre Laser, Optics Commu. 99, 1993, עמ' 355
  7. ^ I. Abdulhalim, Spectroscopic Interference Microscopy Technique for Measurement of layer Parameters, Meas.Sci.Technol. 12, 2001, עמ' 1996-2001
  8. ^ צורי דואר, חברת GWS PHOTONICS השלימה גיוס של 3 מליון דולר, The Marker 21.1.2004
  9. ^ I. Abdulhalim, Optical sensor based on multilayered plasmonic structure comprising a nanoporos metallic layer, US patent No. 10,048,200